Samsung Electronics, 10 nanometre (nm) FinFET teknolojili Çip üzerinde Sistem (SoC) ürünlerinin seri üretimine başladığını duyurdu.
Samsung‘un yeni 10 nanometre FinFET işlemcisi (10LPE), bir önceki 14 nm nesline kıyasla hem işlem teknolojisinde hem tasarımda ek iyileştirmelere sahip gelişmiş bir 3D transistör yapısını benimsiyor. Bu transistör yapısı, yüzde 27 daha yüksek performans, yüzde 40 daha az enerji tüketimi ve alan verimliliğinde yüzde 30’a kadar artışa imkan veriyor. Ölçeklendirme kısıtlamalarını aşmak adına, önceki düğümlerin tasarım ve yönlendirme esnekliğini korumak için çift yönlü yönlendirmeye olanak tanıyan üçlü örüntü gibi gelişmiş teknolojiler de kullanılıyor.
Samsung ilk 10 nanometre işlemci (10LPE) neslinin ardından, performans artışlı ikinci nesil işlemcinin (10LPP) seri üretimine 2017’nin ikinci yarısında başlamayı hedefliyor.
Samsung, müşterileri ve ortakları ile yakın bir iş birliği kurarak referans akış doğrulaması, IP’ler ve arşivleri içeren güçlü bir 10nm ekosistemi elde etmeyi amaçlıyor. Bu amaçla, üretim seviyesi işlem tasarım kitleri (PDK) ve IP tasarım kitleri, başlayacak tasarımlar için geliştiricilere açıldı.
10nm işlem teknolojisine sahip SoC’lerin, önümüzdeki yılın başında lansmanı yapılacak olan dijital cihazlarda kullanılması ve 2017 boyunca yaygınlaşması bekleniyor.
Cihaz.TV‘yi Facebook, Twitter, Google+ ve Instagram‘da takip edin. Güncel videolarımız için YouTube kanalımıza abone olmayı unutmayın.