Snapdragon 835 ile ilgili CES öncesi önemli detaylar ortaya çıktı. İşte 10 nm sürecinde üretilen işlemcinin sızdırılan yeni bilgileri.
Snapdragon 835 işlemcisi geçtiğimiz Kasım ayında resmi olarak tanıtılmış olsa da, bir Qualcomm klasiği olarak tüm detayları açıklanmamıştı. 10 nm FinFET teknolojisiyle üretilen, %27 daha iyi performans ve %40 daha düşük güç tüketimi vadeden işlemciyle alakalı yepyeni bilgiler ortaya çıktı.
Yukarıda görebileceğiniz üzere daha önce Kyro 200 olabileceği söylenen CPU’nun Kyro 280 olduğunu öğrenmiş olduk. Adreno 540 GPU‘su ile birlikte gelen işlemci, Snapdragon X16 LTE model ile birlikte gigabit seviyesinde mobil veri hızına olanak tanıyor.
Samsung ile gerçekleştirdiği işbirliği sonrasında Snapdragon 835 ile 10 nm sürecine geçen Qualcomm, aslında bu hamlesiyle Intel’i bile geride bıraktı. Bu sayede yeni işlemci, Snapdragon 801 işlemcisinden yarı yarıya daha az güç tüketen ancak çok daha güçlü bir işlemci hâline gelmiş durumda.
8 Kyro 280 çekirdeğinin yer aldığı işlemcinin performans tabanlı 4 çekirdeği 2.45 GHz saat hızı sunarken, diğer 4 çekirdek 1.9 GHz saat hızında çalışıyor. DirectX 12 desteğiyle gelen bu işlemci yakın gelecekte Windows tabanlı cihazlara da güç verecek. 
Sızdırılan tüm bu detaylarla ilgili resmi bilgilere CES 2017 fuarı kapsamında erişebileceğiz.
Cihaz.TV‘yi Facebook, Twitter, Google+ ve Instagram‘da takip edin. Güncel videolarımız için YouTube kanalımıza abone olmayı unutmayın.