IBM’in 5 nm karbon nanotüp transistörleri yarı iletken endüstrisinin geleceğini kurtaracak
Dünyanın en tanınmış işlemci markası Intel’in kurucusu Gordon Moore’un 70’lerde yaptığı tahmin, günümüzde Moore Kanunu adıyla kabul görüyor. Moore, aynı hacme sığdırılan transistör miktarının her 2 yılda 2 kat artacağını tahmin etmişti. 70’lerden bu yana bu kehanete uygun çipler geliştirmeyi başaran üreticilerin son yıllarda hedefi tutturamadıklarını da görüyoruz.
Günümüzde, yarı iletken endüstrisinde üretilen en ufak transistörler 14 nm büyüklüğünde. Fakat, FinFet üretim süreciyle hayata geçirilen 14 nm transistörler, Moore Kanunu’nun gelecekte takip edilebilmesi için yeterli değil.
Neden 14 nanometreden daha ufak transistör üretemiyoruz?
Elektrik devreleri ufaldıkça dirençleri artar, ortalama çalışma sıcaklıkları da yükselir. Bu fiziksel engel, 14 nm’den ufak yüksek iletken yonga üretiminin önünde dikiliyor. Dolayısıyla üreticiler şu anki silikon üretim süreçleriyle çiplerin daha ufak ve daha iletken yapıda üretilmesini sağlamakta zorlanıyorlar.
IBM, bu konuda en somut adımları atan kuruluş olarak biliniyor. Şirket, silikon yerine silikon ve germanyum karışımı kullanıldığında 7 nm boyutunda transistör üretilebileceğini ispatlamıştı. IBM’in şimdilerde karbon nanotüp teknolojisiyle yakından ilgilendiğini görüyoruz.
Akıllı telefonların PC gücüne kavuşması, karbon nanotüp transistörlere bağlı
IBM laboratuvarlarının yayımladığı en yeni makaleye göre, 7 nm sınırını aşarak 5 nanometre düzeyine inmek için karbon nanotüplerin kullanılması gerekiyor. Birbirine paralel dizilen ve molibden ile sabitlenen karbon nanotüplerin 5 nm transistör üretiminde kullanılabileceği çalışmayla ispatlanıyor. Geliştirilen yeni üretim süreci, Moore Kanunlarının en azından birkaç dönem daha sürdürülmesini sağlayacak.
Cihaz.TV‘yi Facebook, Twitter, Google+, YouTube ve Instagram‘da takip edin.