Samsung HBM2 RAM yongaları saniyede 256 GB veri aktaracak

Samsung TSV teknolojisiyle üretilen HBM2 RAM yongaları saniyede 1TB veri akışına izin veren canavar ekran kartlarının üretilmesini sağlayacak

Samsung, 2016 yılının en iddialı grafik kartlarında kullanılacak HMB2 RAM modüllerinin seri üretimine başladı. Yeni nesil yüksek bant genişlikli bellek (HBM) yongalarının her biri 256 GB/s bant genişliğine sahip olacak. Bu sayede HBM2 RAM çipleri, önceki nesilde görülen örneklere kıyasla iki kat daha başarılı olacaklar.

Samsung TSV teknolojisiyle hayata geçen HBM2 RAM modülleri

HBM RAM teknolojisi ilk kez AMD Fury serisi ekran kartlarında kullanılmıştı. AMD’nin tercih ettiği çipler, maksimum 2 GB kapasitedeydi ve 128 GB/s veri transferi sağlayabiliyordu. 2015 model AMD Radeon Fury serisi kartlar bu yüzden maksimum 4 GB RAM kapasitesiyle ve 512 GB/s veriyoluyla sınırlı kalmıştı.

Samsung’un 20 nm üretim süreciyle hayata geçen yeni nesil yongalar, TSV adı verilen yöntemle üst üste sabitlenen 4 adet 8 Gbit bellek çipi içerecek. Dolayısıyla HMB2 RAM’ler 256 GB/s veriyolu genişliğine sahip 4 GB yongalar halinde temin edilebilecek. Bu sayede, saniyede 1 TB veri aktarım kapasitesine sahip ve maksimum 16 GB VRAM içeren tek GPU’lu ekran kartlarının üretilmesi mümkün olacak.

samsung-4GB-HBM2-DRAM-yapisi-3

TSV teknolojisi Samsung’un 128 GB DDR4 DRAM ürünlerinde de tercih ediliyor. Güney Koreli teknoloji devi, sunucular ve yüksek performanslı veri merkezleri için geliştirilen TSV DDR4 DRAM modüllerinin enerji tasarrufunda iddialı olacağını açıklamıştı. Dolayısıyla, HBM2 RAM teknolojisinin üstünlüklerinin kapasite ve veriyolu ilerlemeleriyle sınırlı kalmayacağını söyleyebiliriz. Bu tampon bellek çiplerini içeren ekran kartları, önceki nesildeki modellerle aşağı yukarı aynı ısıl tasarım enerjisine sahip oldukları halde 2 kata kadar daha yüksek grafik işleme performansı sergileyecekler.

Cihaz.TV‘yi Facebook, Twitter, Google+, YouTube ve Instagram‘da takip edin.

CEVAP VER

Please enter your comment!
Please enter your name here